[发明专利]相变半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201010547506.6 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102468432A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变半导体器件的制造方法，包括：提供基底，所述基底上具有沟槽，所述沟槽底部具有第一电极层；形成填充所述沟槽的固态相变材料层；在固态相变材料层表面形成保护层；在所述基底表面形成具有通孔的电介质层，所述通孔暴露所述保护层；形成填充所述通孔的第二电极层。本发明在固态相变材料表面形成保护层，氮化硅与形成所述保护层的材料的刻蚀选择比足够高，所以，在形成具有通孔的电介质层的步骤中，所述保护层可以保护固态相变材料层不会被部分或者全部刻蚀，避免了固态相变材料的损失，从而可以提高相变半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有沟槽，所述沟槽底部具有第一电极层；形成填充所述沟槽的固态相变材料层；在固态相变材料层表面形成保护层；在所述基底表面形成具有通孔的电介质层，所述通孔暴露所述保护层；形成填充所述通孔的第二电极层。
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