[发明专利]双塔热耦反应精馏除去氯硅烷体系中硼杂质的方法和装置有效
| 申请号： | 201010546176.9 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102030335A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 黄国强;石秋玲;王红星;华超;苏国良 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;B01D3/14 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及双塔热耦反应精馏除去氯硅烷体系中硼杂质的方法和装置。是在精馏塔T1塔底设置循环泵，将含有未反应的反应剂的物料部分泵循回精馏塔T1，循环量为进料量的6％～7％。精馏塔T1为板式塔，精馏塔T2塔为填料塔或是板式塔。将含有硼杂质的三氯氢硅原料(1)由精馏塔T1塔中部进料，反应剂(2)由精馏塔T1塔顶进入，目的是延长接触时间，让含硼化合物能与反应剂反应得更完全。精馏塔T1塔顶蒸汽(3)进入精馏塔T2塔中部，并且在此处采出部分液体(4)作为精馏塔T1塔塔顶的回流。塔底采出物料(5)为反应得到的高沸物及重组分，精馏塔T2塔顶物料为轻组分(6)，塔底物料(7)为高纯的三氯氢硅产品。该工艺可以将硼的含量降低约70％～90％，节能约65％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 双塔热耦 反应 精馏 除去 硅烷 体系 杂质 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种从三氯氢硅中除去含硼杂质化合物的方法，其特征在于：是在精馏塔T1塔底设置循环泵，将含有未反应的反应剂的物料部分泵循回精馏塔T1，循环量为进料量的6％～7％。且精馏塔T1为板式塔，精馏塔T2塔为填料塔或是板式塔；两塔的操作压力相同，操作工艺条件为：精馏塔T1和精馏塔T2塔操作压力相同，为100KPa～300KPa；精馏塔T1塔顶温度为32.2℃～68.0℃；精馏塔T2塔顶温度为29.9℃～64.0℃；精馏塔T2回流比为11～40。
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