[发明专利]一种异型表面上纳米尺寸的光刻方法和光刻设备无效
| 申请号： | 201010541614.2 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101976019A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 陆冰睿;陈宜方;刘冉 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米光刻技术领域，具体为一种异型表面上纳米尺寸的光刻方法和光刻设备。本发明将近场光刻和纳米反压印相结合，其步骤包括：在已制作好光刻掩模图形的石英衬底上旋涂紫外光刻胶，使用平行紫外光从掩模板背面曝光后显影，完成对光刻胶的近场光刻，接着利用纳米反压印的方法将曝光后的光刻胶转移到目标衬底上，即达到利用近场光刻和纳米反压印相结合的方法实现在任意衬底上产生光刻胶图形的目的。本发明方法便捷快速，同时成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异型 表面上 纳米 尺寸 光刻 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，其特征在于具体步骤包括：1)在掩模板有图形的一面旋涂光刻胶；2)对所述光刻胶进行曝光并显影以形成光刻胶图形，其中在曝光过程中所述掩模板有图形的一面背朝曝光光源；3)通过纳米反压印将所述光刻胶图形转移到衬底上。
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