[发明专利]刻蚀残留的检测方法和系统、谱线模型的建立方法和系统有效
| 申请号： | 201010532664.4 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102468198A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 谢凯 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100015 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀残留的检测方法和系统、谱线模型的建立方法和系统，其中的刻蚀残留的检测方法包括：获取待检测硅片的谱线；根据与所述待检测硅片相同刻蚀工艺的谱线模型，检测所述待检测硅片的刻蚀残留；所述谱线模型为依据与所述刻蚀工艺相应的完整刻蚀硅片的多个样本谱线建模得到，其中，所述完整刻蚀硅片为不带有刻蚀残留的硅片。本发明能够满足大批量生产的情况，可在刻蚀工艺结束后自动快速检测到出现刻蚀残留问题的wafer，从而能够避免出现刻蚀残留问题的wafer流入后道工序，不但节省了生产成本，而且提高了半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 残留 检测 方法 系统 模型 建立 | ||
【主权项】：
一种刻蚀残留的检测方法，其特征在于，包括：获取待检测硅片的谱线；根据与所述待检测硅片相同刻蚀工艺的谱线模型，检测所述待检测硅片的刻蚀残留；所述谱线模型为依据与所述刻蚀工艺相应的完整刻蚀硅片的多个样本谱线建模得到，其中，所述完整刻蚀硅片为不带有刻蚀残留的硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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