[发明专利]一种基于液相化学反应的黑硅制备方法无效
| 申请号： | 201010532330.7 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102051618A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 杨培志;李学铭;廖承菌;杨雯;田晶;郝瑞亭 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;C23F1/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 昆明慧翔专利事务所 53112 | 代理人： | 程韵波 |
| 地址： | 650092 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于液相化学反应的黑硅制备方法。该方法是将硅片置于腐蚀溶液中，然后向其中加入金属化合物，通过催化作用下的离子刻蚀反应在硅片表面进行织构化处理，形成具有微结构表面的黑硅材料。对硅表面进行纳米尺度的表面织构化，产品能有效控制其吸收波段和反射率，从而能提高硅基太阳能电池的转化效率。可应用于大面积的黑硅材料制备，所制备得到的黑硅材料表面包含硅微柱、硅微粒和硅微洞等微结构。该黑硅材料对波长在300-2000nm范围内的光吸收可达到90％以上，对波长在300-800nm范围内的光吸收更是高达95％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 化学反应 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于液相化学反应的黑硅制备方法，其特征在于：其按以下步骤实施，将硅片置于腐蚀溶液中，然后向其中加入具有催化活性的金属离子化合物，通过催化作用下的离子刻蚀反应在硅片表面进行织构化处理，形成具有微结构表面的黑硅材料；所述的腐蚀溶液为氢氟酸和过氧化氢所组成的混合溶液，其中氢氟酸的重量百分浓度为1％～20％，过氧化氢的重量百分浓度为0.1％～30％；氢氟酸和过氧化氢的混合重量比为1∶3～6；所述的腐蚀溶液中添加的为刻蚀反应提供具有催化活性作用的金属离子化合物包括金、银、铁、铜、镍、锌和/或锡的化合物；所述的离子刻蚀反应的温度为5‑85℃，离子刻蚀反应时间为1‑60分钟；所述的催化金属离子，可以单独使用，也可两种或以上金属离子混合复配使用。
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