[发明专利]一种硅片切割过程中断线的处理方法及装置无效

专利信息
申请号: 201010531712.8 申请日: 2010-11-04
公开(公告)号: CN102009440A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 徐国华 申请(专利权)人: 浙江芯能光伏科技有限公司
主分类号: B28D7/00 分类号: B28D7/00
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 吴关炳
地址: 314400 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种晶硅太阳能电池片切割过程中断线的处理方法及装置。所述方法包括提升、清理、布线、冲洗和下压步骤,其中冲洗步骤为:对准切割缝进行冲洗,断线时已切割深度小于50mm的用砂浆冲洗或者断线时已切割深度大于50mm的用水冲洗;所述装置由一组五根设有若干喷射孔且尾端密封的喷管组成;其中设有一排喷射孔的喷管Ⅰ两根,设两排喷射孔且喷射方向呈180°夹角、120°夹角和90°夹角的喷管Ⅱ、喷管Ⅲ和喷管Ⅳ各一根,喷射孔的孔径为0.8mm~1.2mm,喷射孔的间距为1.2mm~1.6mm。采用本发明装置替换喷浆装置,处理效果极佳,可减少硅材料的损耗,提高硅片质量和成品率,降低硅片生产成本,节约原材料。
搜索关键词: 一种 硅片 切割 过程 断线 处理 方法 装置
【主权项】:
一种硅片切割过程中断线的处理方法,包括提升、清理、布线和下压步骤,其特征在于,在下压步骤前还包括冲洗步骤,其中: ⑴ 提升:慢慢提起硅棒,使之升至切割线网以上;⑵ 清理:检查并清理主辊和切割线;⑶ 布线:重新布置切割线网;⑷ 冲洗:对准切割缝进行冲洗,断线时已切割深度小于50mm的用砂浆冲洗或者断线时已切割深度大于50mm的用水冲洗,直至完全冲洗干净;⑸ 下压:下降硅棒,对刀,当硅棒下降至接触切割线网时,仔细检查有无夹片现象,务使切割线对准切割缝,并进一步下压至切割位置。
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