[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201010530265.4 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102054519A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 福田卓平 | 申请（专利权）人： | 巴比禄股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B33/14 | 分类号： | G11B33/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种存储装置。硬盘驱动器装置(10)具有优良的耐冲击性，并且能够实现小型化。硬盘驱动器装置(10)包括壳体(20)、硬盘驱动器主体(12)和介于硬盘驱动器主体(12)和壳体(20)的内壁之间的、通过承受应力而发生变形来吸收冲击应力的缓冲构件(30)。缓冲构件(30)包括配置在壳体(20)的内壁侧的第1层(31)、配置在硬盘驱动器主体(12)侧的第2层(32)和配置在第1层(31)和第2层(32)之间的第3层(33)。缓冲构件(30)的各层材料，根据作为硬度标准值的JI S标准的K6253，将第3层(33)的硬度设定得小于第1层(31)和第2层(32)的硬度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种存储装置，该存储装置包括缓冲构件、用于形成容纳室的壳体和容纳在上述容纳室内的磁盘驱动器主体(12)，该缓冲构件介于上述磁盘驱动器主体(12)和上述壳体的内壁之间，通过承受应力而发生变形来吸收冲击应力，其特征在于，上述缓冲构件包括配置在上述壳体(20)的内壁侧的第1层、配置在上述磁盘驱动器主体(12)侧的第2层和配置在上述第1层和上述第2层之间的第3层；上述缓冲构件的各层材料将上述第3层的硬度设定得小于上述第1层和上述第2层的硬度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巴比禄股份有限公司，未经巴比禄股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010530265.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
