[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，该存储装置包括缓冲构件、用于形成容纳室的壳体和容纳在上述容纳室内的磁盘驱动器主体(12)，该缓冲构件介于上述磁盘驱动器主体(12)和上述壳体的内壁之间，通过承受应力而发生变形来吸收冲击应力，其特征在于，

上述缓冲构件包括配置在上述壳体(20)的内壁侧的第1层、配置在上述磁盘驱动器主体(12)侧的第2层和配置在上述第1层和上述第2层之间的第3层；

上述缓冲构件的各层材料将上述第3层的硬度设定得小于上述第1层和上述第2层的硬度。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，

根据作为硬度标准值的JIS标准的K6253，上述第1层和第2层的硬度为E40～E70，第3层的硬度为E1～E20。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于，

在将上述第1层的厚度设为T1、将上述第2层的厚度设为T2、将上述第3层的厚度设为T3时，满足T3≥T1、T3≥T2。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于，

将上述第1层、第2层、第3层设定为T1∶T2＝1∶1～3、T1∶T3＝1∶1～5。

5.根据权利要求4所述的存储装置，其特征在于，

设定上述第1层、第2层以及第3层的硬度，以使上述缓冲构件(30)的硬度满足半值期间为2.0ms以上，该半值期间是加速度值的第1峰值和在第1峰值之后产生的第2峰值的过渡期间中的、加速度值为第1峰值的50％以下的值的期间，上述加速度值是在上述磁盘驱动器主体(12)上安装加速度传感器、在使该存储装置从规定高度落下时由上述加速度传感器测定的检测值。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，

在将上述第1层的厚度设为T1、将上述第2层的厚度设为T2、将上述第3层的厚度设为T3时，满足T3≥T1、T3≥T2。

7.根据权利要求6所述的存储装置，其特征在于，

将上述第1层、第2层、第3层设定为T1∶T2＝1∶1～3、T1∶T3＝1∶1～5。

8.根据权利要求7所述的存储装置，其特征在于，

设定上述第1层、第2层以及第3层的硬度，以使上述缓冲构件(30)的硬度满足半值期间为2.0ms以上，该半值期间是加速度值的第1峰值和在第1峰值之后产生的第2峰值的过渡期间中的、加速度值为第1峰值的50％以下的值的期间，上述加速度值是在上述磁盘驱动器主体(12)上安装加速度传感器、在使该存储装置从规定高度落下时由上述加速度传感器测定的检测值。

9.根据权利要求6所述的存储装置，其特征在于，

设定上述第1层、第2层以及第3层的硬度，以使上述缓冲构件(30)的硬度满足半值期间为2.0ms以上，该半值期间是加速度值的第1峰值和在第1峰值之后产生的第2峰值的过渡期间中的、加速度值为第1峰值的50％以下的值的期间，上述加速度值是在上述磁盘驱动器主体(12)上安装加速度传感器、在使该存储装置从规定高度落下时由上述加速度传感器测定的检测值。

10.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，

设定上述第1层、第2层以及第3层的硬度，以使上述缓冲构件(30)的硬度满足半值期间为2.0ms以上，该半值期间是加速度值的第1峰值和在第1峰值之后产生的第2峰值的过渡期间中的、加速度值为第1峰值的50％以下的值的期间，上述加速度值是在上述磁盘驱动器主体(12)上安装加速度传感器、在使该存储装置从规定高度落下时由上述加速度传感器测定的检测值。