[发明专利]光刻胶图案的形成方法和阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 201010525105.0 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102455593A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 储培鸣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/38;H01L21/027;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻胶图案的形成方法和阵列基板的制造方法。该光刻胶图案的形成方法包括：在金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用掩模板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括保留区域和去除区域的光刻胶图案；对形成所述图案的光刻胶进行加热处理，以使得所述光刻胶流至待保护的膜层区域。该阵列基板的制造方法包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，导电图案包括栅电极、源电极、漏电极、半导体层和像素电极，在形成半导体层图案的过程中，方法还包括：对光刻胶进行加热处理，以使光刻胶流至源电极与漏电极之间的沟道中。本发明实施例提供的方案，实现了简化工序、降低成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 图案 形成 方法 阵列 制造 | ||
【主权项】：
一种光刻胶图案的形成方法，其特征在于，包括：在膜层上涂覆光刻胶，并采用掩模板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括保留区域和去除区域的光刻胶图案；对形成所述图案的光刻胶进行加热处理，以使得光刻胶流至待保护的膜层区域。
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