[发明专利]薄膜太阳能电池背电极有效
申请号: | 201010523713.8 | 申请日: | 2010-10-28 |
公开(公告)号: | CN102024857A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 叶志高;郝芳;吴兴坤;曹松峰 | 申请(专利权)人: | 杭州天裕光能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人: | 张宇娟 |
地址: | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明为解决现有技术中薄膜太阳能电池背电极电导率不高,稳定性差在使用中反射能力下降的不足,公开了一种薄膜太阳能电池背电极,其是由下列五层薄膜组成的复合层,依次为第一Y:ZNO层、第一Ag层、第二Y:ZNO层、第二Ag层和X层,所述第一Y:ZNO层和第二Y:ZNO层均为掺杂了3价元素的ZnO薄膜层,其中3价元素的掺杂量(重量百分比)小于等于15%而大于0,第一Y:ZNO层和第二Y:ZNO层的厚度均大于0nm小于等于50nm,所述的X层为金属薄膜层,所述第二银层的厚度大于第一银层,采用本发明技术方案的薄膜太阳能电池背电极电导率高,反射能力稳定。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 电极 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池背电极,其特征在于:其是由下列五层薄膜组成的复合层,依次为第一Y:ZNO层、第一Ag层、第二Y:ZNO层、第二Ag层和X层,所述第一Y:ZNO层和第二Y:ZNO层均为掺杂了3价元素的ZnO薄膜层,其中3价元素的掺杂量(重量百分比)小于等于15%而大于0,第一Y:ZNO层和第二Y:ZNO层的厚度均大于0nm小于等于50nm,所述的X层为金属薄膜层,所述第二Ag层的厚度大于第一Ag层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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