[发明专利]一种电弧离子镀CN薄膜的方法有效
| 申请号： | 201010522818.1 | 申请日： | 2010-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101962747A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 马占吉;赵栋才;武生虎;肖更竭;任妮 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/46 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 张利萍 |
| 地址： | 730000*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电弧离子镀CN薄膜的方法，属于表面工程技术领域。在石墨电弧源工作的过程中，通过离子源辅助引入N元素，从而制备了CN薄膜；通过调节N2气流量和石墨电弧源的工作频率，可以改变CN薄膜中的N含量，获得综合性能优异的耐磨损CN薄膜；CN薄膜为非晶态，薄膜厚度可以达到3μm；采用电弧离子镀技术制备的CN薄膜可以应用于复杂曲面精密工件表面的耐磨损处理；本发明采用电弧离子镀技术制备的CN薄膜硬度大于30GPa；CN薄膜中的N元素含量可控，易于实现CN薄膜性能优化；采用电弧离子镀技术可以在复杂曲面工件表面镀CN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电弧 离子镀 cn 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种电弧离子镀CN薄膜的方法，其特征在于：实现该方法的电弧离子镀膜设备包括真空室并在真空室内配置了石墨电弧源、离子源、偏压电源和多通道供气系统；是在石墨电弧源工作的过程中，通过离子源辅助引入N元素，从而制备了CN薄膜；通过调节N2气流量和石墨电弧源的工作频率，可以改变CN薄膜中的N含量，获得综合性能优异的耐磨损CN薄膜；CN薄膜为非晶态，薄膜厚度可以达到3μm；采用电弧离子镀技术制备的CN薄膜可以应用于复杂曲面精密工件表面的耐磨损处理；其具体制备步骤为：1)向真空室内通入Ar气，打开离子源，对工件表面进行活化处理；2)关闭离子源，断开Ar气，对工件加偏压，打开Ti电弧源，镀Ti过渡层；3)关闭Ti电弧源，向真空室内通入N2和Ar混和气体，打开离子源，同时打开石墨电弧源，镀CN薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所，未经中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010522818.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种车内有人感应报警器模组
- 下一篇：车辆缓冲制动装置
- 同类专利
- 专利分类
