[发明专利]一种高阻硅的电阻率测试方法

摘要

本发明公开了一种高阻硅的电阻率测试方法，属于电阻率测试领域。该电阻率测试方法引进了高精密电阻率测试系统，在测试过程中的待测硅晶体表面处理工序增加了酒精擦除的步骤，并且通过多次实验选定了最为适当的测试环境，使得在保证高精密电阻率测试系统的性能得到很好发挥的同时，测试得出的电阻率值也相对比较稳定。通过本发明，能够精确并且稳定地测试电阻率>10000Ω·cm的高阻硅晶体。

主权项

一种高阻硅的电阻率测试方法，其特征在于，包含以下步骤：(1)将数控恒流源与直排四探针中的探针1和探针4相连接，测试设备与所述直排四探针中的探针2和探针3相连接；(2)将所述数控恒流源开机预热30分钟；(3)处理待测硅晶体的表面：喷砂去除所述待测硅晶体表面的玷污和表面氧化层，再用酒精将所述待测硅晶体擦净；(4)在无光照的环境中，调节室温和相对湿度，并且将经处理的所述待测硅晶体放置于测试台上；(5)调整所述直排四探针的高度使其与所述待测硅晶体相压合，此时所述数控恒流源通过所述探针1和所述探针4向所述待测硅晶体输出测试电流，其中所述测试电流的数值与所述直排四探针的探针系数相等；(6)向所述测试设备中输入所述待测硅晶体的类型、厚度、室温以及相对湿度，经所述测试设备分析后开始测试；(7)待测试完成后，所述测试设备将所有测试点的数据以电子表格的形式输出。