[发明专利]纳米晶体器件编程/擦除的方法无效
| 申请号： | 201010519468.3 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102034539A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王永;曹子贵;张博;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米晶体器件编程/擦除的方法，所述纳米晶体器件的编程控制电压或者擦除控制电压幅值渐变升高。本发明的纳米晶体器件编程/擦除的方法能够提高纳米晶体器件的耐用性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体 器件 编程 擦除 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米晶体器件编程/擦除的方法，其特征在于，所述纳米晶体器件的编程控制电压或者擦除控制电压幅值渐变升高。
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