[发明专利]射频组件有效
| 申请号： | 201010514014.7 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102255300A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡铭宪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种射频(RF)组件，包含一RF集成电路，此RF集成电路具有一RF输入与一RF输出。RF集成电路具有一N形金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，此NMOS晶体管具有一栅极端点耦合至RF输入、一漏极端点耦合至一第一电源供应节点、以及一源极端点耦合至一第二电源供应节点。RF集成电路易遭受来自静电放电(ESD)事件的损伤。一初级ESD保护电路耦合至RF输入，且介于第一电源供应节点与第二电源供应节点之间。一次级ESD保护电路耦合在RF输入与第二电源供应节点之间。次级ESD保护电路包含一次级ESD保护二极管耦合在NMOS晶体管的栅极端点与源极端点之间。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 组件 | ||
【主权项】：
一种RF组件，其特征在于，包含：一RF集成电路，具有一RF输入与一RF输出，该RF集成电路包含一NMOS晶体管，该NMOS晶体管具有一栅极端点耦合至该RF输入、一漏极端点耦合至一第一电源供应节点、以及一源极端点耦合至一第二电源供应节点，且该RF集成电路易遭受来自一ESD事件的损伤；一初级ESD保护电路耦合至该RF输入，且介于该第一电源供应节点与该第二电源供应节点之间；以及一次级ESD保护电路，耦合在该RF输入与该第二电源供应节点之间，该次级ESD保护电路包含一次级ESD保护二极管耦合在该NMOS晶体管的该栅极端点与该源极端点之间。
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