[发明专利]记忆合金均载连接减振元件的制造方法无效
| 申请号： | 201010509118.9 | 申请日： | 2010-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101982290A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 孟祥龙;吴冶;蔡伟 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | B23P15/00 | 分类号： | B23P15/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 记忆合金均载连接减振元件的制造方法，它涉及一种减振元件的制造方法。本发明解决了现有复合材料脆性大，性能各向异性，机械加工易分层，局部强度差，接头受力复杂，一旦构件局部过载，会因应力集中导致整个构件迅速破坏的问题。其制造方法如下：一、将TiNi记忆合金经冷轧变形20％以上，然后在300℃～550℃退火处理1小时，然后机械加工，再约束时效即得元件；二、将元件按照先放入液氮再放入沸水的顺序重复20～100次，即得记忆合金均载连接减振元件。采用本发明方法制备的均载连接减振元件，同时具有优良的超弹性性能(恒弹力应变可达8％、高的上平台应力大于490MPa)以及优异的阻尼行为，可实现完美的均载连接，避免局部应力集中而导致的失效破损问题。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 合金 连接 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
记忆合金均载连接减振元件的制造方法，其特征在于记忆合金均载连接减振元件的制造方法如下：一、将TiNi记忆合金经冷轧变形20％以上，然后在300℃～550℃退火处理1小时，然后机械加工，再在100MPa～250MPa、400℃～550℃的条件下约束时效1h，即得元件；二、将元件按照先放入液氮中至元件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重复20～100次，即得记忆合金均载连接减振元件。
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