[发明专利]可下拉精准电流的IO电路

摘要

本发明公开了一种可下拉精准电流的IO电路，包括一下拉电流功能模块。下拉电流功能模块包括一运算放大器、第二电阻、一NMOS管和一开关模块。第二电阻、一NMOS管和一开关模块串接于第一电阻和地之间，运算放大器的输出端和NMOS管的栅极相连、反相输入端和第二电阻的第二端相连、同相输入端和基准电压相连，运算放大器和开关模块还连接使能信号。当使能信号有效时，运算放大器的形成于一负反馈回路，反相输入端嵌位到基准电压、NMOS管开启、开关模块接通，在第一电阻的第二端和地之间形成一大小为基准电压除以第二电阻的电阻值的下拉电流。本发明能缩短下拉电流的启动时间、提高下拉电流的精度。

主权项

一种可下拉精准电流的IO电路，包括：第一电阻、对电源静电保护电路、对地静电保护电路和一下拉电流功能模块；所述第一电阻的第一端和焊盘相连接，所述第一电阻的第二端和芯片内部电路相连接；所述对电源静电保护电路连接在电源和所述第一电阻的第一端之间；所述对地静电保护电路连接于地和所述第一电阻的第一端之间；所述下拉电流功能模块连接于所述第一电阻的第二端和地之间；其特征在于：所述下拉电流功能模块包括一运算放大器、第二电阻、一NMOS管和一开关模块；所述运算放大器的同相输入端和基准电压相连接，所述运算放大器的输出端连接所述NMOS管的栅极；所述第二电阻的第一端接地，所述NMOS管和所述开关模块串接在所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第二端之间；所述NMOS管和所述开关模块的第一种串接结构为所述第一电阻的第二端连接所述NMOS管的漏极、所述NMOS管的源极连接所述开关模块的第一端、所述开关模块的第二端连接所述第二电阻的第二端；所述NMOS管和所述开关模块的第二种串接结构为所述第一电阻的第二端连接所述开关模块的第一端、所述第二电阻的第二端连接所述NMOS管的漏极、所述NMOS管的源极连接所述第二电阻的第二端；所述第二电阻的第二端连接所述运算放大器的反相输入端；所述运算放大器的使能端连接使能信号，所述开关模块的第三端连接使能信号；当所述使能信号有效时，所述运算放大器的反相输入端的反相电位嵌位到和所述同相输入端的基准电压相同的电压，所述运算放大器的输出端 输出一大于所述NMOS管的阈值电压的输出电压并使所述NMOS管开启，所述开关模块接通，在所述第一电阻的第二端和地之间产生一下拉电流，并在所述运算放大器的输出端和反相输入端形成单位增益负反馈回路；所述下拉电流的大小为所述基准电压除以所述第二电阻的电阻值。