[发明专利]一种高功率低电压硅基薄膜太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201010502031.9 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102082198A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李毅;郭权发;李全相 | 申请（专利权）人： | 深圳市创益科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 深圳市毅颖专利商标事务所 44233 | 代理人： | 张艺影 |
| 地址： | 518029 广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高功率低电压非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法。该方法包括步骤：激光刻划前电极层P1；激光刻划硅基薄膜层P2；激光刻划背电极层P3，其特征在于：所述激光刻划前电极层P1、硅基薄膜层P2和背电极层P3分别形成第一沟道、第二沟道和第三沟道；所述前电极层、硅基薄膜层和背电极层具有数个子电池区域；相邻的子电池区域之间具有共用区域电极。本发明所批露的方法可以制造高功率、低电压的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 电压 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高功率低电压硅基薄膜太阳能电池的制造方法，包括：激光刻划前电极层P1；激光刻划硅基薄膜层P2；激光刻划背电极层P3，其特征在于：所述激光刻划前电极层P1、硅基薄膜层P2和背电极层P3分别形成第一沟道、第二沟道和第三沟道；所述前电极层、硅基薄膜层和背电极层具有数个子电池区域；相邻的子电池区域之间具有共用区域电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
