[发明专利]一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法无效
| 申请号： | 201010298989.0 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101975554A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 徐晨;赵振波;解意洋;周康;刘发;沈光地 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01B11/08 | 分类号： | G01B11/08 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法，属于半导体光电子技术领域。所述测定方法可测量观看所有波段面的发射激光器，并可以测定各种面发射半导体激光器电流限制孔，包括可测量长度的刻度显微镜，测定时，首先将待测半导体激光器施加小电流观察，直到半导体激光器出现微弱荧光，便可看到激光器电流限制孔形状光斑，然后用刻度显微镜观察测量光斑尺寸，即可测定电流限制孔孔径尺寸；所述测定方法对于改善模式特性的光子晶体垂直腔面发射激光器、分布孔激光器，可实现刻蚀缺陷孔即出光孔与电流限制孔的相对位置对准观察，并可随时测定电流限制孔形状，不受波长范围影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 破坏性 发射 半导体激光器 电流 限制 孔径 测定 方法 | ||
【主权项】：
一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法，所述测定方法可测量观看所有波段面的发射激光器，其特征在于：所述测定方法可以测定各种面发射半导体激光器电流限制孔，包括可测量长度的刻度显微镜，测定时，首先将待测半导体激光器施加小电流观察，直到半导体激光器出现微弱荧光，便可看到激光器电流限制孔形状光斑，然后用刻度显微镜观察测量光斑尺寸，即可测定电流限制孔孔径尺寸；所述测定方法对于改善模式特性的光子晶体垂直腔面发射激光器、分布孔激光器，可实现刻蚀缺陷孔即出光孔与电流限制孔的相对位置对准观察。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010298989.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于多灯逆变电源的独立保护电路
- 下一篇：一种可拆式空气过滤猪舍
