[发明专利]用于改善GaAs微探尖质量的生长液旋转倾倒脱片方法无效
| 申请号： | 201010296998.6 | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102012438A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 胡礼中;梁秀萍;曲光伟;张贺秋;骆英民;赵宇;邱宇 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01Q60/38 | 分类号： | G01Q60/38;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种用于改善GaAs微探尖质量的生长液旋转倾倒脱片方法，属于信息技术领域。本发明的技术特征是通过绕水平轴将石墨舟旋转180度的方式使已完成生长使命的生长液在重力作用下自动地从外延片上脱落下来，从而可避免由较高的微探尖造成的生长液在微探尖的表面上的残留问题。本发明的效果和益处是能够简单有效地改进基于选择液相外延技术制备的GaAs集成式SNOM传感器的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 gaas 微探尖 质量 生长 旋转 倾倒 方法 | ||
【主权项】：
一种用于改善GaAs微探尖质量的生长液旋转倾倒脱片方法，是在利用选择液相外延技术制备GaAs微探尖时为避免生长液在微探尖表面上的残留而采取的一种新的生长液与外延片分离方法，其特征在于：在采用选择液相外延技术完成了GaAs微探尖生长之后，通过绕水平轴将石墨舟旋转180度的方式使已完成生长使命的生长液在重力作用下自动地从外延片上脱落下来。
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