[发明专利]通过再熔化颗粒制造由硅构成的单晶体的装置有效
| 申请号： | 201010294171.1 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102051671A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | W·冯阿蒙;L·阿尔特曼绍夫尔;A·穆兹尼克斯 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于通过再熔化颗粒制造由硅构成的单晶体的装置，包括：由硅构成的转动板，所述转动板具有中心开口和由硅构成的管状延伸部，所述管状延伸部环绕所述开口，且延伸到所述板的下方；第一感应加热线圈，所述第一感应加热线圈设置在所述板的上方，以用于熔化颗粒；以及第二感应加热线圈，所述第二感应加热线圈设置在所述板的下方，以用于使熔化的颗粒结晶，其中，第二感应加热线圈在其与由硅构成的所述板相对的一侧上具有由可透过磁场的材料构成的下层、和上层，在所述上层中，具有用于传导冷却剂的至少一个冷却通道。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 熔化 颗粒 制造 构成 单晶体 装置 | ||
【主权项】：
一种用于通过再熔化颗粒制造由硅构成的单晶体的装置，包括：由硅构成的转动板，所述转动板具有中心开口和由硅构成的管状延伸部，所述管状延伸部环绕所述开口，且延伸到所述板的下方；第一感应加热线圈，所述第一感应加热线圈设置在所述板的上方，以用于熔化颗粒；以及第二感应加热线圈，所述第二感应加热线圈设置在所述板的下方，以用于使熔化的颗粒结晶，其中，第二感应加热线圈在其与由硅构成的所述板相对的一侧上具有由可透过磁场的材料构成的下层、和上层，在所述上层中，具有用于传导冷却剂的至少一个冷却通道。
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