[发明专利]通过再熔化颗粒制造由硅构成的单晶体的装置有效

专利信息
申请号: 201010294171.1 申请日: 2010-09-21
公开(公告)号: CN102051671A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: W·冯阿蒙;L·阿尔特曼绍夫尔;A·穆兹尼克斯 申请(专利权)人: 硅电子股份公司
主分类号: C30B13/00 分类号: C30B13/00;C30B29/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 蔡洪贵
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 通过 熔化 颗粒 制造 构成 单晶体 装置
【权利要求书】:

1.一种用于通过再熔化颗粒制造由硅构成的单晶体的装置,包括:

由硅构成的转动板,所述转动板具有中心开口和由硅构成的管状延伸部,所述管状延伸部环绕所述开口,且延伸到所述板的下方;

第一感应加热线圈,所述第一感应加热线圈设置在所述板的上方,以用于熔化颗粒;以及

第二感应加热线圈,所述第二感应加热线圈设置在所述板的下方,以用于使熔化的颗粒结晶,其中,第二感应加热线圈在其与由硅构成的所述板相对的一侧上具有由可透过磁场的材料构成的下层、和上层,在所述上层中,具有用于传导冷却剂的至少一个冷却通道。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述下层由铁磁性塑料构成。

3.如权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述上层由金属材料制成。

4.如权利要求1-3中任一所述的装置,其特征在于,第二感应加热线圈和所述上层由银或铜构成。

5.如权利要求1-4中任一所述的装置,其特征在于,第二感应加热线圈具有用于传导冷却剂的至少一个冷却通道。

6.如权利要求1-5中任一所述的装置,其特征在于,所述上层在其边缘处具有缺口,所述边缘位于第二感应加热线圈中的内孔的区域处且在与第二感应加热线圈的供电线相反的一侧,且第二感应加热线圈具有用于通过气体冷却所述板的管状延伸部和邻近区域的至少一个喷嘴。

7.如权利要求1-6中任一所述的装置,其特征在于,所述上层在与所述板相对的一侧被暗黑化。

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