[发明专利]外延基板有效
| 申请号： | 201010289813.9 | 申请日： | 2010-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102412356A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 凃博闵;黄世晟;黄嘉宏;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种用于成长发光二极管磊晶结构的外延基板，该外延基板包括：一第一表面以及与其相对的第二表面，该第一表面与第二表面之间的距离为该外延基板的厚度H，该外延基板的第一表面上形成有多个第一凹槽，每个第一凹槽具有一个第一底面，该外延基板上与第一底面相对的表面为生长表面，该生长表面用于外延生长发光二极管，该第一底面与生长表面之间部分为生长区域，该第一底面与生长表面之间的距离为生长区域的厚度h，该生长区域的厚度h与该外延基板的厚度H满足如下关系：h/H＜1/3。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 | ||
【主权项】：
一种用于成长发光二极管磊晶结构的外延基板，该外延基板包括：一第一表面以及与其相对的第二表面，该第一表面与第二表面之间的距离为该外延基板的厚度H，该外延基板的第一表面上形成有多个第一凹槽，每个第一凹槽具有一个第一底面，该外延基板上与第一底面相对的表面为生长表面，该生长表面用于外延生长发光二极管，该第一底面与生长表面之间的部分为生长区域，该第一底面与生长表面之间的距离为生长区域的厚度h，该生长区域的厚度h与该外延基板的厚度H满足如下关系：h/H＜1/3。
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