[发明专利]直拉硅单晶热场无效

专利信息
申请号: 201010288250.1 申请日: 2010-09-20
公开(公告)号: CN101949057A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 刘彬国;何京辉;曹祥瑞;颜超 申请(专利权)人: 邢台晶龙电子材料有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 夏素霞
地址: 054001 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种直拉硅单晶热场,其包括炉体、炉体内设置的石英坩埚和加热器;炉体侧壁下部设置有通孔,炉体的顶部开有氩气进口;炉体的底部设置有炉底盘,炉底盘的上面安装有保温桶,所述的保温桶外侧包裹有保温材料;在保温桶的顶部设有环形的大盖,在大盖的内环上固设有位于石英坩埚上部的导流筒,所述保温桶的上部设有向内的变径。本热场有效降低了热系统的能量损耗、降低加热器的发热功率,从而达到节能的效果。本热场一定程度上增加了氩气的流速,使晶体散发的热量及时的被带走,增加了单晶的冷却速度,有效的提高了单晶生长拉速。本热场有效降低了气氛中杂质对单晶生长环境的污染,从而提高成晶率。
搜索关键词: 直拉硅单晶热场
【主权项】:
一种直拉硅单晶热场,其包括炉体、炉体内设置的石英坩埚和加热器;炉体侧壁下部设置有通孔,炉体的顶部开有氩气进口;炉体的底部设置有炉底盘,炉底盘的上面安装有保温桶,所述的保温桶外侧包裹有保温材料;在保温桶的顶部设有环形的大盖,在大盖的内环上固设有位于石英坩埚上部的导流筒,其特征在于:所述保温桶的上部设有向内的变径。
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