[发明专利]直拉硅单晶热场无效
申请号: | 201010288250.1 | 申请日: | 2010-09-20 |
公开(公告)号: | CN101949057A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 刘彬国;何京辉;曹祥瑞;颜超 | 申请(专利权)人: | 邢台晶龙电子材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 夏素霞 |
地址: | 054001 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直拉硅单晶热场 | ||
1.一种直拉硅单晶热场,其包括炉体、炉体内设置的石英坩埚和加热器;炉体侧壁下部设置有通孔,炉体的顶部开有氩气进口;炉体的底部设置有炉底盘,炉底盘的上面安装有保温桶,所述的保温桶外侧包裹有保温材料;在保温桶的顶部设有环形的大盖,在大盖的内环上固设有位于石英坩埚上部的导流筒,其特征在于:所述保温桶的上部设有向内的变径。
2.根据权利要求1所述的直拉硅单晶热场,其特征在于:所述保温桶上的变径位于加热器的上部,且变径与加热器之间留有空隙。
3.根据权利要求1或2所述的直拉硅单晶热场,其特征在于:所述的导流筒为倒圆台形筒,在倒圆台形筒外壁的中下部设有环形凸起。
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