[发明专利]改善射频LDMOS器件工作频率的方法有效
| 申请号： | 201010287175.7 | 申请日： | 2010-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102412154A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张帅;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善射频LDMOS器件工作频率的方法，其为在栅氧上淀积形成用作栅极的多晶硅之后，包括如下步骤：在多晶硅上淀积氮化硅薄膜；刻蚀氮化硅和多晶硅至栅氧表面，形成多晶硅栅极；进行氧化处理，使多晶硅栅极的侧壁氧化形成氧化硅；去除多晶硅栅极上面的氮化硅；在硅片表面淀积钛金属，而后通过退火处理在多晶硅栅极上形成钛合金。本发明的方法，引入自对准的钛合金工艺，实现了多晶硅栅极的金属化。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 射频 ldmos 器件 工作 频率 方法 | ||
【主权项】：
一种改善射频LDMOS器件工作频率的方法，其特征在于：在栅氧上淀积形成用作栅极的多晶硅之后，包括如下步骤：1)在所述多晶硅上淀积氮化硅薄膜；2)刻蚀所述氮化硅和多晶硅至栅氧表面，形成多晶硅栅极；3)进行氧化处理，使所述多晶硅栅极的侧壁氧化形成氧化硅；4)去除所述多晶硅栅极上面的氮化硅；5)在硅片表面淀积钛金属，而后通过退火处理在所述多晶硅栅极上形成钛合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
