[发明专利]用于薄膜叠层式电池的器件以及快速热处理方法无效
申请号: | 201010286791.0 | 申请日: | 2010-09-13 |
公开(公告)号: | CN102024875A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 霍华德·W·H·李 | 申请(专利权)人: | 思阳公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种用于薄膜叠层式电池的器件以及快速热处理方法,该方法包括提供包括表面区域的透明基板。形成覆盖所述表面区域的第一透明电极层。形成覆盖所述电极表面区域的包括铜材料和铟材料的多层结构。在快速热处理过程中,对所述多层结构施加多种含硫物,以形成包括铜物质、铟物质以及硫物质的吸收材料。所述快速热处理使用范围在约1摄氏度/秒~约50摄氏度/秒的斜率。在具体的实施方式中,保持第一透明电极层的片电阻率小于或等于约10Ohm/cm2、光透射率在80%以上。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 叠层式 电池 器件 以及 快速 热处理 方法 | ||
【主权项】:
一种用于形成薄膜光伏器件的方法,所述方法包括:提供包括表面区域的透明基板;形成覆盖所述透明基板的所述表面区域的第一透明电极层,所述第一透明电极层具有电极表面区域;形成覆盖所述电极表面区域的包括铜材料和铟材料的多层结构;对所述多层结构施加多种含硫物质;在所述含硫物质的所述施加过程中,使用在约1摄氏度/秒~约50摄氏度/秒范围内的斜率对所述多层结构进行快速热处理,以形成包括铜物质、铟物质以及硫物质的吸收材料;以及保持所述第一透明电极层的片电阻率小于或等于约10欧姆/厘米2、光透射率在80%以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的