[发明专利]一种氢氧化镍薄膜电极及其制备方法无效
| 申请号： | 201010286111.5 | 申请日： | 2010-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102005571A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张正富;杨伦权;陈庆华;杨晓梅 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;H01M4/04 |
| 代理公司： | 昆明正原专利代理有限责任公司 53100 | 代理人： | 金耀生 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氢氧化镍薄膜电极及其制备方法。将经过处理的钛基片作为阴极，放在以硼酸溶液为缓冲液、以硫酸镍溶液为电镀液的溶液中，用脉冲电流进行电镀镍。再以电镀了镍膜的钛基片作为阳极，以泡沫镍作为阴极，放在碱性溶液中，进行电化学阳极氧化，即可获得氢氧化镍薄膜电极。本发明制备的氢氧化镍薄膜电极内阻较小，比电容量较大，且该制备方法简单实用，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氢氧化 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
本发明涉及的氢氧化镍薄膜电极按以下方法制备：第一步：取一直径为10～20mm、厚度为1～3mm的圆形钛片表面打磨、抛光处理后放到按硝酸与盐酸1∶3配比的王水里浸泡1小时，接着，在60～100℃温度下保温0.5～3小时后，冷却取出，再打磨抛光两面，作为基片；第二步：将处理过的钛基片作为阴极，放在以硼酸溶液浓度3g/L～60g/L为缓冲液，以硫酸镍溶液浓度20g/L～200g/L为电镀液的溶液中进行电镀，电镀液pH＝1.0～5.0，电镀时，脉冲电压幅值为20～50V，电压频率为：180～300Hz，电镀时间为：0.1～2.0小时，得到钛基片表面的致密镍镀层；第三步：以电镀了镍膜的钛基片作为阳极，泡沫镍作为阴极，放在氢氧化钾2～10mol/L溶液中，进行电化学氧化，氧化温度：25～80℃，氧化时间：1～4小时，氧化电压：0.7～1.2V，即获得薄膜厚度小于100μm的氢氧化镍薄膜电极。
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