[发明专利]一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法无效
| 申请号： | 201010278052.7 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102400210A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 戴小林;吴志强;邓树军;崔彬;姜舰;王雅楠;肖清华;张果虎;周旗钢;屠海令 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法，它是通过调节位于直拉单晶炉炉室内热场上保温筒座上设置的保温圆桶的数量、每层的厚度、圆桶的壁厚或它们的组合，从而调整晶体生长界面的形状、界面的温度梯度以及晶体生长速度的方法，达到调节直拉硅单晶棒内缺陷。调节的原理：增加保温筒的数量或厚度相当于降低熔体硅表面的温度梯度，使得晶体生长界面更加平坦，使得晶体中的缺陷分布更加均匀，同时可以降低晶体生长的最高速度。减少保温筒的数量相当于增加熔体硅表面的温度梯度，使得晶体生长界面更加不平坦；不利于晶体中的缺陷均匀分布，同时可以增加晶体生长的最大速度。本调节方法的优点是简便和效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直拉硅单晶棒内 缺陷 调节 方法 | ||
【主权项】：
一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法，其特征在于：它是通过调节位于直拉单晶炉炉室内热场上保温筒座上设置的保温圆桶的数量、每层的厚度、圆桶的壁厚或它们的组合，从而调整晶体生长界面的形状、界面的温度梯度以及晶体生长速度的方法，达到调节直拉硅单晶棒内缺陷。
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