[发明专利]薄膜太阳能组件及制造方法无效
| 申请号： | 201010277847.6 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102013440A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | M·贝尔金斯基;P·莱希纳 | 申请（专利权）人： | 肖特太阳能股份公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜太阳能组件，其包含透明的基底(1)、沉积在所述基底(1)上的由经掺杂的锌氧化物组成的透明的前电极层(2)、半导体层(3)、任选存在的沉积在所述半导体基层(3)上的由经掺杂的锌氧化物组成的背电极层(4)以及与光线入射面(hv)背向的背面上的反射层(5)，在经掺杂的锌氧化物前电极层(2)中的掺杂量从基底(1)向着半导体层(3)减小和/或在经掺杂的锌氧化物背电极层(4)中的掺杂量从半导体层(3)向着反射层(5)减小。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
薄膜太阳能组件，其包含透明的基底(1)、沉积在所述基底(1)上的由经掺杂的锌氧化物组成的透明的前电极层(2)、半导体层(3)、任选存在的沉积在所述半导体基层(3)上的由经掺杂的锌氧化物组成的背电极层(4)以及与光线入射面(hv)背向的背面上的反射层(5)，其特征在于，在经掺杂的锌氧化物前电极层(2)中异类原子的含量从基底(1)向着半导体层(3)减小和/或在经掺杂的锌氧化物背电极层(4)中异类原子的含量从半导体层(3)向着反射层(5)减小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
