[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上依序形成栅绝缘层、氧化物半导体层及紫外光遮蔽材料层以覆盖栅极；于栅极上方的紫外光遮蔽材料层上形成第一图案化光刻胶层；以第一图案化光刻胶层为掩模，图案化氧化物半导体层及紫外光遮蔽材料层以形成氧化物通道层；移除部分第一图案化光刻胶层以形成第二图案化光刻胶层，其中第二图案化光刻胶层暴露出部分紫外光遮蔽材料层；以第二图案化光刻胶层为掩模，图案化紫外光遮蔽材料层以形成紫外光遮蔽图案；移除第二图案化光刻胶层；以及形成彼此电性绝缘的源极与漏极。本发明由于紫外光遮蔽图案并未全面性覆盖于基板上，因此紫外光遮蔽图案不会导致紫外光完全无法穿透基板。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：于一基板上形成一栅极；于该基板上依序形成一栅绝缘层、一氧化物半导体层以及一紫外光遮蔽材料层，以覆盖该栅极；于该栅极上方的该紫外光遮蔽材料层上形成一第一图案化光刻胶层；以该第一图案化光刻胶层为掩模，图案化该氧化物半导体层以及该紫外光遮蔽材料层，以于该紫外光遮蔽材料层下方形成一氧化物通道层；移除部分该第一图案化光刻胶层，以形成一第二图案化光刻胶层，其中该第二图案化光刻胶层暴露出部分该紫外光遮蔽材料层；以该第二图案化光刻胶层为掩模，图案化该紫外光遮蔽材料层，以于该氧化物通道层的部分区域上形成一紫外光遮蔽图案；移除该第二图案化光刻胶层；以及于该氧化物通道层以及该紫外光遮蔽图案上形成彼此电性绝缘的一源极与一漏极。