[发明专利]一种制备光电制氢电极的方法以及光电制氢电极有效
申请号: | 201010269963.3 | 申请日: | 2010-08-30 |
公开(公告)号: | CN101914780A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | 赵云峰;赵伟;王振华;丁天朋 | 申请(专利权)人: | 新奥科技发展有限公司 |
主分类号: | C25B11/00 | 分类号: | C25B11/00;C25B1/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柳春琦 |
地址: | 065000 河北省廊坊市经济*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种制备光电制氢电极的方法以及由该方法制备的光电制氢电极。所述光电制氢电极的制备方法包括如下步骤:第一步,选取适合于用作光电制氢电极的基底的金属作为金属基底;第二步,配制用于形成所述金属的氧化物多孔膜的浆料;第三步,将所述浆料涂覆到所述金属基底上以使所述浆料在所述金属基底上形成膜;以及第四步,将其上已形成有膜的金属基底进行烧结,其中所述金属基底和所述金属氧化物纳米多孔膜中的金属是同一种金属。本发明采用简单的刮涂法,在金属基底例如钨片上制备了价格低廉的氧化物纳米多孔膜比如WO3薄膜结构,由本发明的方法所制备的电极稳定性好,比表面积大,结合紧密,光电流响应高,WO3结晶度好。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 光电 电极 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种制备光电制氢电极的方法,所述方法包括如下步骤:第一步,选取适合于用作光电制氢电极的基底的金属作为金属基底;第二步,配制用于形成金属氧化物纳米多孔膜的浆料;第三步,将所述浆料涂覆到所述金属基底上,以使所述浆料在所述金属基底上形成膜;以及第四步,将其上已形成有膜的金属基底进行烧结,所述方法的特征在于,所述金属基底和所述金属氧化物纳米多孔膜中的金属是同一种金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新奥科技发展有限公司,未经新奥科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010269963.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。