[发明专利]光刻工艺的显影方法无效
| 申请号： | 201010268601.2 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102385262A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 黄玮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻工艺的显影方法，包括：以第一速率旋转半导体晶片，同时向所述半导体晶片的圆心喷射显影液，使显影液浸润所述半导体晶片表面；以第二速率旋转浸润后的半导体晶片，同时向半导体晶片表面喷射显影液；以第三速率旋转喷射显影液后的半导体晶片，使显影液与半导体晶片表面的光刻胶层进行显影反应；采用去离子水清洗半导体晶片表面；其中，所述第一速率大于所述第二速率。通过应用所述方法，可以降低半导体晶片的光刻胶层的表面张力，增强表面的亲水性和界面亲和力，避免经显影后的半导体晶片上的不同区域形成的光刻图形尺寸不一致的缺陷，从而能够提高半导体晶片内的光刻图形尺寸均匀性，进而提高半导体器件电性的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 显影 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻工艺的显影方法，其特征在于，包括：以第一速率旋转半导体晶片，同时向所述半导体晶片的圆心喷射显影液，使显影液浸润所述半导体晶片表面；以第二速率旋转浸润后的半导体晶片，同时向半导体晶片表面喷射显影液；以第三速率旋转喷射显影液后的半导体晶片，使显影液与半导体晶片表面的光刻胶层进行显影反应；采用去离子水清洗半导体晶片表面；其中，所述第一速率大于所述第二速率。
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