[发明专利]光刻工艺的显影方法无效
| 申请号： | 201010268601.2 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102385262A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 黄玮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 显影 方法 | ||
1.一种光刻工艺的显影方法，其特征在于，包括：
以第一速率旋转半导体晶片，同时向所述半导体晶片的圆心喷射显影液，使显影液浸润所述半导体晶片表面；
以第二速率旋转浸润后的半导体晶片，同时向半导体晶片表面喷射显影液；
以第三速率旋转喷射显影液后的半导体晶片，使显影液与半导体晶片表面的光刻胶层进行显影反应；
采用去离子水清洗半导体晶片表面；
其中，所述第一速率大于所述第二速率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一速率为1000-2000转/分钟；
所述以第一速率旋转半导体晶片的时间为5-7秒。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二速率为0-100转/分钟；
所述以第二速率旋转浸润后的半导体晶片的时间为2-3秒。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第三速率为0-30转/分钟；
所述以第三速率旋转喷射显影液后的半导体晶片的时间为15-45秒。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
利用所述浸润降低光刻胶层表面张力、增强界面亲和力。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在以第一速率旋转半导体晶片之前，还包括：
对经过曝光的半导体晶片进行去离子水浸润。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用去离子水清洗半导体晶片表面之前，还包括：
以第四速率旋转显影反应后的半导体晶片，同时向半导体晶片表面补充喷射显影液。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：
所述第四速率为20-100转/分钟；
所述以第四速率旋转显影反应后的半导体晶片的时间为1-2秒。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以第二速率旋转浸润后的半导体晶片时，所述向半导体晶片表面喷射显影液通过以下方式实现：
以第二速率旋转所述浸润后的半导体晶片的同时，显影液喷嘴位于半导体晶片的圆心位置，并向所述圆心位置喷射显影液。
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