[发明专利]一种薄膜太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 201010266603.8 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102208481A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 杨立友 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 310052 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池制造方法，其中包括如下步骤：在衬底(45)上形成第二电极(44)；在第二电极(44)上形成第二n型非晶硅层(43n)；在第二n型非晶硅层(43n)上形成第二i型非晶硅层(43i)；对所形成的非晶硅层进行激光结晶处理，转换为第二n型微晶硅层和第二i型微晶硅层；在所形成的微晶硅层上形成第二p型微晶硅层(43p)；以及形成第二电极(41)。当所述衬底(45)为聚合物薄膜时，为了避免激光所产生的热量对聚合物薄膜的损害，在所述衬底(45)上形成热绝缘层(45t)。本发明的方法通过将激光结晶技术应用于太阳能电池的制造缩短了微晶硅层的形成时间，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池制造方法，其中包括如下步骤：在衬底(45)上形成第二电极(44)；在第二电极(44)上形成第二n型非晶硅层(43n)；在第二n型非晶硅层(43n)上形成第二i型非晶硅层(43i)；对所形成的非晶硅层进行激光结晶处理，转换为第二n型微晶硅层和第二i型微晶硅层；在所形成的微晶硅层上形成第二p型微晶硅层(43p)；以及形成第一电极(41)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
