[发明专利]一种碲纳米晶体的制备方法有效
申请号: | 201010262202.5 | 申请日: | 2010-08-20 |
公开(公告)号: | CN101920940A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 袁求理;聂秋林 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | C01B19/02 | 分类号: | C01B19/02 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种碲纳米晶体的制备方法。目前方法不能有效控制碲纳米晶体的形貌。本发明方法首先根据制备的碲纳米晶体所需的形貌配置正碲酸水溶液,然后将还原剂一水合肼加入到正碲酸水溶液中,形成黑色悬浮溶液,倒入水热反应釜中进行水热反应,反应温度100~120℃,反应时间12~24小时;水热反应结束后,将反应物进行离心分离,将固体产物洗涤、干燥后得到碲纳米晶体。本发明方法通过改变反应体系中正碲酸水溶液的浓度即可对碲纳米晶体的形貌进行控制,可以分别得到纳米颗粒、短纳米棒、长纳米棒等不同形貌的碲纳米晶体。本发明方法工艺简单,反应体系稳定,所得碲纳米晶体具有较好的均匀性,并且可以有效控制所得碲纳米晶体的形貌。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碲纳米晶体的制备方法,其特征在于该方法具体步骤如下:(1)将正碲酸溶解在水中,根据制备的碲纳米晶体所需的形貌配置正碲酸水溶液,具体是:如需制备碲纳米晶体颗粒,则配置的正碲酸水溶液浓度为M1,4×10 2mol/L<M1≤6×10 2mol/L;如需制备长度为100~200纳米的碲纳米短棒,则配置的正碲酸水溶液浓度为M2,3×10 2mol/L≤M2≤4×10 2mol/L;如需制备长度大于200纳米的碲纳米长棒,则配置的正碲酸水溶液浓度为M3,1×10 2mol/L≤M3<3×10 2mol/L;(2)将还原剂一水合肼加入到正碲酸水溶液中,形成黑色悬浮溶液;每毫升正碲酸水溶液加入一水合肼的量为1~2毫摩尔;(3)将黑色悬浮溶液倒入水热反应釜中进行水热反应,反应温度为100~120℃,反应时间为12~24小时;(4)水热反应结束后,将反应物进行离心分离,得到固体产物;将固体产物依次用蒸馏水和乙醇洗涤,干燥后得到黑色固体粉未,即为碲纳米晶体。
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