[发明专利]一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201010259715.0 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101948309A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 刘彭义;常鹏;祝兰;陈伟业 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | C04B35/493 | 分类号： | C04B35/493;C04B35/622;H01L41/187 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 裘晖;陈燕娴 |
| 地址： | 510632 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用。制备方法按如下步骤：合成三元系Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(PSMZT)预烧物，按化学计量比掺入钴-铌-铋-锂-铜-镍低熔玻璃，经造粒，压片，排胶，烧结，抛光，烧银和极化步骤得到掺杂PSMZT压电陶瓷。本发明方法明显的降低了陶瓷的烧结温度且没有恶化陶瓷的性能，适用于大功率压电材料的应用，为叠层压电陶瓷元器件的制备提供原材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 psmzt 压电 陶瓷 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种掺杂PSMZT压电陶瓷，基本组成为Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1‑xO3，0≤x≤0.1，其特征在于：该压电陶瓷掺入质量百分浓度a％的CoNb2O6、质量百分浓度b％的Bi2O3、质量百分浓度c％的Li2CO3、质量百分浓度d％的CuO和质量百分浓度e％的NiO，其中0.1≤a≤0.2，0.1≤b≤0.3，0.1≤c≤0.3，0.1≤d≤0.3，0.05≤e≤0.3。
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