[发明专利]高含氟负性光刻胶及其在聚合物光波导器件中的应用有效

专利信息
申请号: 201010251529.2 申请日: 2010-08-12
公开(公告)号: CN101900941A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 崔占臣;万莹;史作森;费旭 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: G03F7/038 分类号: G03F7/038;G02B6/136
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 张景林;刘喜生
地址: 130012 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于聚合物光波导材料与器件技术领域,具体涉及一种可用于制备聚合物光波导器件的高含氟负性光刻胶组合物,其由高含氟环氧树脂、光致产酸物和有机溶剂组成。高含氟环氧树脂为一种或几种结构式如(1)所示的化合物,其中,Rf1和Rf2分别独立地表示全氟化、半氟化或者未氟化的脂族基团,n为5~20的整数,m为0~20的整数。通过改变光致产酸物的种类来调整光刻胶组合物的曝光波长,同时由于在氟化的环氧树脂中,部分氢原子被氟原子取代,在通讯波段吸收较小,因此该光刻胶组合物可以在紫外波长200~400nm的范围内曝光并成像制作聚合物光波导器件。
搜索关键词: 高含氟负性 光刻 及其 聚合物 波导 器件 中的 应用
【主权项】:
1.一种高含氟负性光刻胶组合物,其特征在于:按重量计,含有54.5~73wt%的高含氟环氧树脂、5.5~7.3wt%的光致产酸物和20~40wt%的有机溶剂,其中,高含氟环氧树脂为一种或几种结构式如(1)所示的化合物,其数均分子量Mn为2000~10000,分散度Mw/Mn为1.5~3.0,Rf1和Rf2分别独立地表示全氟化、半氟化或者未氟化的脂族基团,n为5~20的整数,m为0~20的整数。
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