[发明专利]超高电阻率硅抛光片的抛光工艺

摘要

本发明涉及超高电阻率区熔硅抛光片的抛光工艺。本工艺采用无蜡单面抛光，抛光包括粗抛光和精抛光，粗抛光和精抛光分别按照四个步骤中设定的压力、时间参数进行，粗抛光和精抛光的抛光液温度均控制在30-40℃范围内，抛光机大盘温度控制在40-60℃范围内。本工艺摸索出了适宜生产超高电阻率硅片的抛光压力和时间，通过采用无蜡抛光，提高了硅片抛光表面平整度等质量指标，特别是废除了粘片剂，最大限度降低了有机物质等沾污，抛光片易清洗，从而简化了除蜡清洗程序和设备，降低了抛光硅片的成本和提高了劳动生产率。

主权项

一种超高电阻率硅抛光片的抛光工艺，其特征在于：该工艺采用无蜡单面抛光，抛光包括粗抛光和精抛光，粗抛光和精抛光分别按照四个步骤进行，每个步骤设定的参数如下：粗抛光：①、设定抛光时间：2‑4min；压力：2‑3bar；使用粗抛光液进行抛光；②、设定抛光时间：15‑25min；压力：3‑4bar；使用粗抛光液进行抛光；③、设定抛光时间：10‑20s；压力：1‑2bar；使用去离子水进行抛光；④、设定抛光时间：10‑20s；压力：1‑2bar；使用去离子水进行抛光；精抛光：①、设定抛光时间：1‑2min；压力：1‑2bar；使用精抛光液进行抛光；②、设定抛光时间：5‑10min；压力：2‑3bar；使用精抛光液进行抛光；③、设定抛光时间：10‑20s；压力：1‑2bar；使用去离子水进行抛光；④、设定抛光时间：10‑20s；压力：1‑2bar；使用去离子水进行抛光；抛光液的温度控制在30‑40℃范围内，整个抛光过程中的大盘温度控制在40‑60℃范围内。