[发明专利]超高电阻率硅抛光片的抛光工艺有效
| 申请号： | 201010249524.6 | 申请日： | 2010-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101934490A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 李翔;李科技;黄建国 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300384 天津市滨海高*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超高 电阻率 抛光 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种超高电阻率硅抛光片的抛光工艺，其特征在于：该工艺采用无蜡单面抛光，抛光包括粗抛光和精抛光，粗抛光和精抛光分别按照四个步骤进行，每个步骤设定的参数如下：
粗抛光：
①、设定抛光时间：2-4min；压力：2-3bar；使用粗抛光液进行抛光；
②、设定抛光时间：15-25min；压力：3-4bar；使用粗抛光液进行抛光；
③、设定抛光时间：10-20s；压力：1-2bar；使用去离子水进行抛光；
④、设定抛光时间：10-20s；压力：1-2bar；使用去离子水进行抛光；
精抛光：
①、设定抛光时间：1-2min；压力：1-2bar；使用精抛光液进行抛光；
②、设定抛光时间：5-10min；压力：2-3bar；使用精抛光液进行抛光；
③、设定抛光时间：10-20s；压力：1-2bar；使用去离子水进行抛光；
④、设定抛光时间：10-20s；压力：1-2bar；使用去离子水进行抛光；
抛光液的温度控制在30-40℃范围内，整个抛光过程中的大盘温度控制在40-60℃范围内。
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