[发明专利]转印纳米线的方法无效
| 申请号： | 201010247285.0 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102372254A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 许嘉麟 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种转印纳米线的方法，其包括以下步骤：提供一个第一基板，该第一基板具有一个第一表面，该第一表面有基本垂直于该第一表面的纳米线阵列；提供一个转印膜，该转印膜具有一个第二表面，该转印膜为疏水性且处于粘性流动状态；将该转印膜与该第一基板相互盖合，该第二表面朝向该第一表面；压合该第一基板与该转印膜使得该转印膜按照一预定方向推倒该纳米线阵列，从而将其中的至少一部分纳米线转印至该第二表面。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种转印纳米线的方法，其包括以下步骤：提供一个第一基板，该第一基板具有一个第一表面，该第一表面有基本垂直于该第一表面的纳米线阵列；提供一个转印膜，该转印膜具有一个第二表面，该转印膜为疏水性且处于粘性流动状态；将该转印膜与该第一基板相互盖合，该第二表面朝向该第一表面；压合该第一基板与该转印膜使得该转印膜按照一预定方向推倒该纳米线阵列，从而将其中的至少一部分纳米线转印至该第二表面。
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