[发明专利]转印纳米线的方法无效
| 申请号： | 201010247285.0 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102372254A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 许嘉麟 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 方法 | ||
1.一种转印纳米线的方法，其包括以下步骤：
提供一个第一基板，该第一基板具有一个第一表面，该第一表面有基本垂直于该第一表面的纳米线阵列；
提供一个转印膜，该转印膜具有一个第二表面，该转印膜为疏水性且处于粘性流动状态；
将该转印膜与该第一基板相互盖合，该第二表面朝向该第一表面；
压合该第一基板与该转印膜使得该转印膜按照一预定方向推倒该纳米线阵列，从而将其中的至少一部分纳米线转印至该第二表面。
2.如权利要求1所述的转印纳米线的方法，其特征在于，转印该至少一部分纳米线至该第二表面的过程在室温下进行。
3.如权利要求2所述的转印纳米线的方法，其特征在于，该转印膜为一种高分子材料制成，且该高分子材料的玻璃转化温度低于室温。
4.如权利要求3所述的转印纳米线的方法，其特征在于，该高分子材料为PDMS。
5.如权利要求4所述的转印纳米线的方法，其特征在于，该第一基板的材质为硅。
6.如权利要求1所述的转印纳米线的方法，其特征在于，使用滚轮压合相互盖合的该第一基板与该转印膜。
7.如权利要求1所述的转印纳米线的方法，其特征在于，该方法进一步包括以下步骤：
该至少一部分纳米线转印至该第二表面之后，提供一个第二基板，该第二基板具有第三表面；
将该转印膜与该第二基板相互盖合，该第二表面朝向该第三表面；
压合相互盖合的该转印膜与该第二基板，以使该第二表面的纳米线转印至该第三表面。
8.如权利要求7所述的转印纳米线的方法，其特征在于，转印该至少一部分纳米线至该第二表面的过程以及将该第二表面的纳米线转印至该第三表面的过程均在室温下进行，该转印膜采用高分子材料制成，且该高分子材料的玻璃转化温度低于室温。
9.如权利要求8所述的转印纳米线的方法，其特征在于，该高分子材料为PDMS。
10.如权利要求9所述的转印纳米线的方法，其特征在于，该第一基板的材质为硅，该第二基板的材质为硅或二氧化硅。
11.如权利要求7所述的转印纳米线的方法，其特征在于，该第一基板的材质为硅，该转印膜采用一种第一高分子材料制成，该第二基板采用一种第二高分子材料制成。
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