[发明专利]肖特基二极管有效
| 申请号： | 201010246093.8 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102347373A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 洪崇祐;胡智闵;陈永初;龚正 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管，包括一欧姆层当作阴极，一金属层当作阳极，一漂流通道由半导体材料形成并在欧姆层和金属层间延伸。此漂流通道包括一重掺杂区域邻接欧姆接触层。漂流通道与金属层形成一肖特基势垒。当肖特基二极管逆向偏压时，夹止机制用于夹止漂流通道。因此，在肖特基二极管的逆向偏压条件下，金属层和欧姆接触层之间的饱和或漏电流程度被减少。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，包括：一欧姆接触层；一金属层；一漂流通道，延伸于该欧姆接触层和该金属层之间；以及一夹止机制，用以在该肖特基二极管被逆向偏压时夹止该漂流通道。
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