[发明专利]锗硅异质结双极晶体管及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，形成于硅衬底上，有源区由场氧区隔离，其集电区形成于有源区中并延伸进入有源区两侧的场氧区底部；一赝埋层形成于有源区两侧的场氧区底部并和有源区边缘相隔一横向距离，赝埋层和集电区的延伸进入场氧区底部的部分形成接触并在赝埋层顶部的场氧区中形成一深孔接触引出集电区；本发明能通过调节上述横向距离调节器件的击穿电压。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明能大幅度的增加器件的击穿电压，且仅需改变版图而不用改变工艺就可调节器件的击穿电压、有利于实现不同击穿电压的器件系统集成，还能减少器件的面积、以及能维持较高的特征频率、减小集电极的寄生电阻。

主权项

一种锗硅异质结双极晶体管，形成于P型硅衬底上，有源区由场氧区隔离，其特征在于，所述锗硅异质结双极晶体管包括：一集电区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述场氧区底部的深度、且所述集电区横向延伸进入所述有源区两侧的场氧区底部；一赝埋层，由形成于所述有源区两侧的场氧区底部的N型离子注入区组成，所述赝埋层在横向位置上和所述有源区相隔一横向距离、且所述赝埋层和所述集电区的横向延伸进入所述场氧区底部的部分相接触，通过调节所述赝埋层和所述有源区的横向距离调节所述锗硅异质结双极晶体管的击穿电压，通过在所述赝埋层顶部的场氧区形成的深孔接触引出所述集电区电极；一基区，由形成于所述硅衬底上的P型锗硅外延层组成，包括一本征基区和一外基区，所述本征基区形成于所述有源区上部且和所述集电区形成接触，所述外基区形成于所述场氧区上部且用于形成基区电极；一发射区，由形成于所述本征基区上部的N型多晶硅组成，和所述本征基区形成接触。