[发明专利]样品失效分析方法有效
| 申请号： | 201010245311.6 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102346152A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陈险峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88;G01Q30/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种样品失效分析方法，包括：获取样品的二次电子图像；从所述二次电子图像中选出作为参照的基准子图形，以及待分析子图形；沿同一方向扫描基准子图形和待分析子图形的灰度，获取基准子图形和待分析子图形的二次电子强度曲线；比较基准子图形的二次电子强度曲线和待分析子图形的二次电子强度曲线，确定待分析子图形是否存在缺陷。用二次电子强度曲线表征二次电子图像，即使有微小的缺陷，也可以通过二次电子强度表示出来；而且由于二次电子强度曲线对灰度变化比较敏感，即使金属互连线以及栓塞由于使用低介电常数金属而导致二次电子图像的分辨率降低，也可以用二次电子强度曲线将二次电子图像表示出来，二次电子强度曲线不会受分辨率变化的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 样品 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种样品失效分析方法，其特征在于包括：获取样品的二次电子图像；从所述二次电子图像中选出作为参照的基准子图形，以及待分析子图形；沿同一方向扫描基准子图形和待分析子图形，获取所述基准子图形和待分析子图形的二次电子强度曲线；比较基准子图形的二次电子强度曲线和待分析子图形的二次电子强度曲线，确定待分析子图形是否存在缺陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010245311.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于水声传感器电压检测的SOC芯片
- 下一篇：一种银行防盗卷帘门
