[发明专利]一种太阳能硅片的回收方法有效
申请号: | 201010240413.9 | 申请日: | 2010-07-26 |
公开(公告)号: | CN102343352A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 冯克光;胡宇宁;姜俊刚;赵科雄;范建都;滕美玲 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | B09B3/00 | 分类号: | B09B3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于太阳能电池技术领域,具体提供了一种太阳能硅片的回收方法。该方法包括先将印刷不良的太阳能硅片依次在有机溶剂、氧化性酸、盐酸中浸泡,最后将太阳能硅片的背面在氢氟酸中浸泡。有机溶剂去除硅片背面的全部浆料以及正面的大部分的导电浆料,氧化性酸将硅片正面残留的浆料以及吸附残留的固体颗粒转化为金属离子,盐酸络合去除金属离子,最后氢氟酸去除背面的二氧化硅膜层。本发明的回收方法,太阳能硅片外观良好,无污点,并且不易破片,回收过程无风险。回收过程中不会破坏硅片上的减反射膜,也不会破坏硅片的PN结。回收的硅片直接重新印刷导电浆料即可。最重要的是太阳能硅片的品质几乎没有降低,大大提升了太阳能硅片生产良率,降低了企业成本。 | ||
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【主权项】:
一种太阳能硅片的回收方法,其包括如下步骤:(1)将印刷不良的太阳能硅片在有机溶剂中浸泡,然后水洗;(2)将步骤(1)处理后的太阳能硅片在氧化性酸中浸泡,然后水洗;(3)将步骤(2)处理后的太阳能硅片在盐酸中浸泡,然后水洗;(4)将步骤(3)处理后的太阳能硅片的背面在氢氟酸中浸泡,然后水洗,干燥。
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