[发明专利]一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺有效
| 申请号： | 201010238274.6 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101976704A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 盛健 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺，其工艺步骤如下：首先在硅片表面形成掩膜，然后利用激光在硅片表面均匀开孔，孔间隔5～10微米，孔径3～5微米，孔打好后硅片放置在HF和HNO3的混合溶液中进行刻蚀，利用掩膜与酸反应的时间差在小孔处钻蚀，硅片表面形成均匀的绒面。本发明的制绒工艺对单晶或多晶硅片都适合，可以弥补多晶酸制绒反射率高的缺陷。而且利用本发明的工艺完成的绒面，因为均匀性好，故光吸收效果较传统工艺有明显提升，绒面反射率较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 刻蚀 结合 工艺 | ||
【主权项】：
一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺，其特征在于：其工艺步骤如下：首先在硅片表面形成掩膜，然后利用激光在硅片表面均匀开孔，孔间隔5～10微米，孔径3～5微米，孔打好后硅片放置在HF和HNO3的混合溶液中进行刻蚀，利用掩膜与酸反应的时间差在小孔处钻蚀，硅片表面形成均匀的绒面。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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