[发明专利]制造二维准直器元件的方法以及二维准直器元件无效
| 申请号： | 201010235369.2 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101964217A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 马里奥·艾肯希尔;迈克尔·梅斯;丹尼尔·尼德洛纳;斯蒂芬·沃思 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G21K1/02 | 分类号： | G21K1/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 谢强 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： |
本发明涉及一种制造用于辐射探测器(2)的2D准直器元件(1)的方法，在该方法中借助快速制造技术逐层地由吸收射线的材料形成交叉的隔片(3，4)，后者沿着 |
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| 搜索关键词： | 制造 二维 准直器 元件 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种制造用于辐射探测器(2)的2D准直器元件(1)的方法，在该方法中借助快速制造技术逐层地由吸收射线的材料形成交叉的隔片(3，4)，这些隔片沿着![]()
方向和z方向对齐并且形成具有至少在2D准直器元件(1)的内部区域中侧面地包围的辐射通道(5)的网格形结构。
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