[发明专利]制造二维准直器元件的方法以及二维准直器元件

权利要求书

1.一种制造用于辐射探测器(2)的2D准直器元件(1)的方法，在该方法中借助快速制造技术逐层地由吸收射线的材料形成交叉的隔片(3，4)，这些隔片沿着方向和z方向对齐并且形成具有至少在2D准直器元件(1)的内部区域中侧面地包围的辐射通道(5)的网格形结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，作为快速制造技术采用选择性的激光熔化。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，作为吸收辐射的材料，采用钼或含钼的合金。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，作为吸收辐射的材料采用钨、钽或包括合金元件钨和/或钽的合金。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，从中心(11)在所述2D准直器元件(1)的侧面的方向上关于其基面(22)越来越倾斜地构造具有和/或z对齐的隔片(3，4)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，这样选择所述具有和/或z对齐的隔片关于所述2D准直器元件(1)的基面(22)的倾斜角，使得处于装配状态的隔片(3，4)在X射线源(7)的焦点(6)的方向上对齐。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，从上部出发在2D准直器元件(1)的底部的方向上越来越宽地构造具有和/或z方向对齐的隔片(3，4)的宽度。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，制造多个2D准直器元件(1)并且在方向和/或z方向上组合成用于所述辐射探测器(2)的准直器装置(8)。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，至少在z方向上材料结合地互相连接所述多个2D准直器元件(1)。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，至少在两个方向上的一个上形面结合地互相连接所述多个2D准直器元件(1)。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，除了所述隔片(3，4)还附加地构造用于保持或调节所述2D准直器元件(1)的保持和/或调节元件(9，10，10′)。

12.一种用于辐射探测器(2)的2D准直器元件，其具有交叉的隔片(3，4)，所述隔片作为按照快速制造技术的制造方法的结果由吸收辐射的材料制成，其被一体地构造并且具有带有侧面被包围的辐射通道(5)的网格形结构，其中，所述隔片(3，4)由材料逐层地沿着和z方向构造。

13.根据权利要求11所述的2D准直器元件，其中，所述快速制造计算是选择性的激光熔化。

14.根据权利要求12或13所述的2D准直器元件，其中，所述吸收辐射的材料是钼或含钼的合金。

15.根据权利要求12或13所述的2D准直器元件，其中，所述吸收辐射的材料包括钨、钽或包括合金元件钨和/或钽的合金。

16.根据权利要求12至15中任一项所述的2D准直器元件，其中，从中心(11)在2D准直器元件(1)的侧面的方向上关于其基面(22)越来越倾斜地构造具有和/或z对齐的隔片(3，4)。

17.根据权利要求16所述的2D准直器元件，其中，这样选择所述具有和/或z对齐的隔片(3，4)关于准直器元件(1)的基面(22)的倾斜角，使得处于装配状态的隔片(3，4)在X射线源(7)的焦点(6)的方向上对齐。

18.根据权利要求12至17中任一项所述的2D准直器元件，其中，从上部出发在2D准直器元件(1)的底部的方向上越来越宽地构造具有和/或z方向对齐的隔片(3，4)的宽度。

19.根据权利要求12至18中任一项所述的2D准直器元件，其中，将多个2D准直器元件(1)在方向和/或z方向上组合成用于辐射探测器(2)的准直器装置(8)。

20.根据权利要求19所述的2D准直器元件，其中，至少在z方向上材料结合地互相连接所述多个2D准直器元件(1)。

21.根据权利要求19所述的2D准直器元件，其中，至少在两个方向上的一个上形面结合地互相连接所述多个2D准直器元件(1)。

22.根据权利要求12至21中任一项所述的2D准直器元件，其中，除了所述隔片(3，4)还附加地具有用于保持或调节所述2D准直器元件(1)的保持和/或调节元件(9，10，10′)。