[发明专利]极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法

摘要

本发明涉及一种用于极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法。该抛光液选用纳米SiO2磨料，磨料的浓度为30-50％、粒径为15-25nm、莫氏硬度7以利于材料的去除及表面平整化，抛光液的pH值9-12，既能满足有效去除，也能保证硅溶胶的稳定性，制备采用负压涡流搅拌制备法，避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染，可以达到超净的要求，且对抛光设备无腐蚀，后清洗简单。该抛光液污染小、利于环保，成本低、应用广泛。

主权项

一种极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)使用电阻为18MΩ的超纯水对密闭反应釜及进料管道清洗至少三次，使清洗后废液的电阻不低于16MΩ；所述密闭反应釜为聚丙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂中的任一种；(2)将质量百分比浓度为50％、粒径为15‑25nm、莫氏硬度7的SiO2溶胶通过步骤(1)清洗过的进料管道加入到步骤(1)已清洗过的密闭的反应釜中，对密闭反应釜抽真空使密闭反应釜内呈负压完全涡流状态，形成涡流搅拌；(3)在步骤(2)得到的硅溶胶溶液中，边进行涡流搅拌边将活性剂0.5‑5％、FA/O螯合剂0.1‑5％、氧化剂0.5‑4％，依次加入到密闭反应釜中，持续保持完全涡流状态；(4)最后将胺碱3‑10％在完全涡流的状态下抽入到步骤(3)得到的溶液中，充分涡流搅拌5‑15分钟后得到pH值为9‑12的抛光液，进行灌装即可；得到的抛光液含质量百分比浓度为50％、粒径为15‑25nm莫氏硬度7的SiO2溶胶80‑95.4％，上述活性剂、氧化剂、FA/O螯合剂和胺碱的百分比均以最后得到的抛光液为基准。