[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 201010228236.2 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102314078A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 安辉;郝静安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;C23C16/513;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻方法，该方法包括：采用二氧化碳CO2和氢气H2的混合气体对衬底表面进行等离子体处理；在衬底表面旋涂光阻PR，形成光刻图案。采用该方法能够避免光刻图案剥落。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，该方法包括：采用二氧化碳CO2和氢气H2的混合气体对衬底表面进行等离子体处理；在衬底表面旋涂光阻，并形成光刻图案。
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